Инженерная графика в системе OrCAD
Имена трех- и четырехполюсных компонентов
Таблица 4.10. Имена трех- и четырехполюсных компонентов
| Первая буква имени |
Компонент |
Аббревиатура вывода |
||
| В |
Арсенид-галлиевый полевой транзистор |
D (сток) G (затвор) S (исток) |
||
| J |
Полевой транзистор |
D (сток) G (затвор) S (исток) |
||
| М |
МОП-транзистор |
D (сток) G (затвор) S (исток) В (подложка) |
||
| Q |
Биполярный транзистор |
С (коллектор) В (база) Е (эмиттер) S (подложка) |
||
| Первая буква имени |
Компонент |
Аббревиатура вывода |
||
| Т |
Линия передачи |
VA (входное напряжение) IA (входной ток) VB (выходное напряжение) IB (выходной ток) |
||
| Z |
Статически индуцированный биполярный транзистор |
С (коллектор) G (затвор) Е (эмиттер) |
||
Например, напряжение коллектор — база транзистора Q3 обозначается как VCB(Q3). В спецификациях переменных VZ(<UMH>), Iz(<имя>) в качестве параметра <имя> указывается имя линии передачи (начинается с буквы Т), а символ 2 принимает два значения: А — вход, В — выход линии передачи.
2. Режим АС. При выводе результатов расчета частотных характеристик к именам переменных, перечисленным выше, добавляются суффиксы, перечисленные в табл. 4.11.
