Имя типа модели |
Тип компонента |
||
Аналоговые компоненты |
|||
САР |
Конденсатор |
||
CORE |
Магнитный сердечник трансформатора |
||
D |
Диод |
||
GASFET |
Арсенид-галлиевый полевой транзистор с каналом п-типа |
||
IND |
Индуктивность |
||
ISWITCH |
Ключ |
||
LPNP |
Боковой биполярный р-л-р-транзистор |
||
NIGBT |
Статически индуцированный биполярный транзистор |
||
NJF |
Полевой транзистор с каналом л-типа |
||
NMOS |
МОП-транзистор с каналом л-типа |
||
NPN |
Биполярный л-р-я-транзистор |
||
PJF |
Полевой транзистор с каналом р-типа |
||
PMOS |
МОП-транзистор с каналом р-типа |
||
PNP |
Биполярный р-л-р-транзистор |
||
RES |
Резистор |
||
TRN |
Линия передачи |
||
VSWITCH |
Ключ |
||
Устройства интерфейса |
|||
DINPUT |
Аналого-цифровой интерфейс |
||
DOUTPUT |
Цифро-аналоговый интерфейс |
||
Имя типа модели |
Тип компонента |
||
Цифровые устройства |
|||
UADC |
Аналого-цифровой преобразователь |
||
UBTG |
Двунаправленный переключающий вентиль |
||
UDAC |
Цифроаналоговый преобразователь |
||
UDLY |
Цифровая линия задержки |
||
UEFF |
Триггер с динамическим управлением |
||
UGATE |
Стандартный вентиль |
||
UGFF |
Триггер с потенциальным управлением |
||
UIO |
Модель входа /выхода цифрового устройства |
||
UPLD |
Программируемые логические матрицы |
||
UROM |
Постоянное запоминающее устройство |
||
URAM |
Оперативное запоминающее устройство |
||
UTGATE |
Вентиль с тремя состояниями |
||
В директиве .MODEL в круглых скобках указывается список значений параметров модели компонента (если этот список отсутствует или не полный, то недостающие значения параметров модели назначаются по умолчанию). Приведем примеры этой директивы:
.MODEL RLOAD RES (R=1.5 TC1=0.2 TC2=.005)
.MODEL D104D(IS=1E-10)
.MODEL KT315V NPN (IS=1E-11 BF=50 DEV=5% LOT=20%)
.MODEL CK CAP (C=1 DEV=0.1)
.MODEL KT315G AKO:KT315A NPN (BF=130)
Каждый параметр может принимать случайные значения относительно своего номинального значения в соответствии со < спецификацией случайного'разброса значения параметра>, принимаемой во внимание только при статистическом анализе по директивам .МС и .WCASE (п. 4.1.2). Имеются два способа задания температур пассивных компонентов и полупроводниковых приборов (С, L, R, В, D, J, M, Q и Z). Во-первых, по директиве .MODEL задается температура, при которой измерены входящие в нее параметры:
Т_МЕАSUARED=<значение>
Это значение заменяет температуру Tnom, устанавливаемую по директиве .OPTIONS (по умолчанию 27 °С). Во-вторых, можно установить физическую температуру каждого устройства, заменяя глобальную температуру, устанавливаемую по директивам .TEMP, .STEP TEMP или .DC TEMP. Это возможно сделать, задавая:
1) значение абсолютной температуры устройства T_ABS;
2) относительную температуру T_REL_GLOBAL, так что абсолютная температура равна глобальной температуре плюс значение параметра T_REL_GLOBAL;
3) относительную температуру T_REL_LOCAL, так что абсолютная температура данного устройства равна абсолютной температуре устройства-прототипа (модель АКО) плюс значение параметра T_REL_LOCAL.
Описания аналого-цифровых (О) и цифроаналоговых (N) интерфейсов и цифровых устройств (U) приведены в разд. 4.3. Здесь же дадим правила описания аналоговых компонентов.