Инженерная графика в системе OrCAD
Биполярные транзисторы
Таблица 5.6. Биполярные транзисторы
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения) |
|||||
| Vbe |
Смещение база-эмиттер в режиме насыщения |
IS RB XTI* EG* |
10- 5 А 3 Ом 1,11 В |
||
| Vce |
Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения |
||||
| Output Admitance (Выходная проводимость) |
|||||
| Ic, hoe |
Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с |
VAF |
100 В |
||
| Vce |
Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В |
||||
| Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току) |
|||||
| Ic, hFE |
Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В |
BF NE ISE XTB* NK* |
100 1,5 0 1,5 0,5 |
||
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер) |
|||||
| Ic, Vce |
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10 |
BR NC ISC IKR RC |
1 2 0 0 0 |
||
| С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база) |
|||||
| Vcb, Cobo |
Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb |
CJC VJC MJC FC* |
2 пФ 0,75 В 0,3333 0,5 |
||
| Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база) |
|||||
| Veb, Cibo |
Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb |
CJE V.JE MJE |
5 пФ 0,75 В 0,3333 |
||
| Storage Time (Время рассасывания заряда) |
|||||
| Ic, ts |
Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10 |
TR |
10 не |
||
| Gain Bandwidth (Площадь усиления) |
|||||
| Ic, ГГ |
Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В |
TF ITF XTF VTF * |
1 НС 1 0 10В |
||
Статически индуцированный биполярный транзистор. Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.7.
