Инженерная графика в системе OrCAD

         

Биполярные транзисторы



Таблица 5.6. Биполярные транзисторы



Символы данных
Справочные данные
Параметры модели
Имя
Значение по умолчанию
V(be) (sat) Voltage (Напряжение на р-я-переходе в режиме насыщения)
Vbe
Смещение база-эмиттер в режиме насыщения
IS RB

XTI* EG*

10- 5 А 3 Ом

1,11 В

Vce
Смещение коллектор-эмиттер в режиме насыщения
Output Admitance (Выходная проводимость)
Ic, hoe
Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора 1с
VAF
100 В
Vce
Смещение коллектор-эмиттер Vce=5 В
Forward DC Beta (Статический коэффициент передачи по току)
Ic, hFE
Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора 1с. Измерения проводились при смещении коллектор-эмиттер Vce=l В
BF

NE ISE XTB*

NK*

100 1,5 0 1,5 0,5
Символы данных
Справочные данные
Параметры модели
Имя
Значение по умолчанию
Vce(sat) Voltage (Напряжение насыщения коллектор-эмиттер)
Ic, Vce
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Iс. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10
BR NC ISC IKR RC
1 2 0 0 0
С-В Capacitance (Барьерная емкость коллектор-база)
Vcb, Cobo
Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор-база Vcb
CJC VJC MJC FC*
2 пФ 0,75 В 0,3333 0,5
Е-В Capacitance (Барьерная емкость эмиттер-база)
Veb, Cibo
Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер-база Veb
CJE V.JE MJE
5 пФ 0,75 В 0,3333
Storage Time (Время рассасывания заряда)
Ic, ts
Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора 1с. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10
TR
10 не
Gain Bandwidth (Площадь усиления)
Ic, ГГ
Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока ГГ в схеме с ОЭ от тока коллектора 1с. Смещение коллектор-эмиттер Vce=10 В
TF ITF

XTF VTF *

1 НС

1 0 10В

Статически индуцированный биполярный транзистор. Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.7.



Содержание раздела