Инженерная графика в системе OrCAD
Статически индуцированные биполярные транзисторы
Таблица 5.7. Статически индуцированные биполярные транзисторы
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| Fall Time (Время спада) |
|||||
| Icmax |
Абсолютное значение максимального тока коллектора при температуре 25 °С |
AGD AREA TAU |
5*10 -5 см 2 5*10 -6 м 2 7,1 мкс |
||
| Bvces |
Абсолютное значение максимального напряжения пробоя коллектор-эмиттер при коротком замыкании затвор-эмиттер |
||||
| tf |
Время спада тока коллектора при индуктивной нагрузке при заданных значениях Ic, Vce |
||||
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| Ic |
Ток коллектора |
WB |
9*10 -5 м |
||
| Vce |
Напряжение коллектор-эмиттер |
||||
| Transfer Characteristics (Проходная характеристика) |
|||||
| Vge, Ic |
Зависимость тока коллектора 1с от смещения затвор-эмиттер Vge |
КР VT |
0,38 А/В 2 2 В |
||
| Saturation Characteristics (Характеристики насыщения) |
|||||
| Vce, Ic |
Зависимость тока коллектора 1с от напряжения коллектор-эмиттер Vce в режиме насыщения |
KF |
1 А/В 2 |
||
| Vge |
Напряжение затвор-эмиттер, при котором проведены измерения |
||||
| Gate Charge (Заряд области затвора) |
|||||
| Qge |
Заряд области затвор-эмиттер в состоянии «включено» |
CGS COXD VTD |
12,4 нФ/В 2 35 нФ/В 2 -5 В |
||
| Qgc |
Заряд области затвор-коллектор в состоянии «включено» |
||||
| Qg |
Общий заряд затвора в состоянии «включено» |
||||
| Vg |
Напряжение на затворе, при котором измерен заряд Qg |
||||
| Vce |
Напряжение на коллекторе, при котором измерены Qge, Qgc, Qg |
||||
| Ic |
Ток коллектора, при котором измерены Qge, Qgc, Qg |
||||
Полевые транзисторы. Паспортные данные полевого транзистора (Junction FET: N-, P-CHANNEL), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.8.
