Полевые транзисторы

Таблица 5.8. Полевые транзисторы

	Символы данных	Справочные данные	Параметры модели
			Имя	Значение по умолчанию
	Transconductance (Передаточная проводимость)
	Id, gFS	Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id	BETA ВЕТАТСЕ* RS RD	0,001 -0,5 1 Ом 1 Ом
	Output Conductance (Выходная проводимость)
	Id, gOS	Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id	LAMBDA	0,01

	Символы данных	Справочные данные	Параметры модели
			Имя	Значение по умолчанию
	Transfer Curve (Проходная характеристика)
	Vgs, Id	Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs	VTO VTOTC*	-2,5В -0,0025
	Yds	Смещение сток-исток
	Reverse Transfer Capacitance (Проходная емкость)
	Vgs, Crss	Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор-исток Vgs	CGD М РВ FC*	1 пФ 0,3333 1 0,5
	Yds	Смещение сток-ис'гок
	Input Capacitance (Входная емкость)
	Vgs, Ciss	Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор-исток Vgs	CGS	1 пФ
	Vds	Смещение сток-исток
	Passive Gate Leakage (Ток утечки затвора в пассивном режиме)
	Vdg, Igss	Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток-затвор Vdg	IS ISR N NR XTI*	10- 15 А 10- 12 А 1 2 3
	Active Gate Leakage (Ток утечки затвора в активном режиме)
	Vdg, Ig	Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток-затвор Vdg	ALPHA VK	10- 6 100В
	Id	Ток стока
	Noise Voltage (Уровень внутреннего шума)
	Freq, en	Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу	KF AF*	10 -18 1
	Id	Ток стока

МОП-транзисторы. В табл. 5.9 приведены паспортные данные МОП-транзистора (MOSFET: NMOS, PMOS), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL = 3), которые рассчитываются в программе.

Расчет параметров математических моделей отечественных МОП-транзисторов с помощью программы Model Editor затруднен ввиду того, что в паспортных данных отсутствуют значения зарядов Qg, Qgs.

Содержание раздела

---

---