Инженерная графика в системе OrCAD
МОП-транзисторы
Таблица 5.9. МОП-транзисторы
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| Transconductance (Передаточная проводимость) |
|||||
| Id, gFS |
Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id |
RS КР W L |
20*10- 3 20*10- 6 * 0,5 2*10- 6 |
||
| Transfer Curve (Проходная характеристика) |
|||||
| Vgs, Id |
Зависимость тока стока Id от смещения затвор-исток Vgs |
VTO |
3 В |
||
| Rds (on) Resistance (Сопротивление канала в состоянии «включено») |
|||||
| Id |
Ток стока |
RD |
10- 3 Ом |
||
| Rds |
Статическое сопротивление сток-исток |
||||
| Vgs |
Смещение затвор-исток |
||||
| Zero-Bias Leakage (Сопротивление утечки канала при нулевом смещении на затворе) |
|||||
| Idss |
Ток стока при нулевом потенциале затвора и напряжении Yds |
RDS |
1 МОм |
||
| Yds |
Смещение сток-исток при измерении тока Idss |
||||
| Turn-On Charge (Объемный заряд в состоянии «включено») |
|||||
| Qgd |
Общий заряд области затвора |
CGSO CGDO |
40 пФ 10 пФ |
||
| Qgs |
Заряд области затвор-исток, необходимый для переключения |
||||
| Yds |
Постоянный потенциал истока (по умолчанию 50 В) |
||||
| Id |
Ток стока (по умолчанию 50 А) |
||||
| Output Capacitance (Выходная емкость) |
|||||
| Yds, Coss |
Зависимость выходной емкости Coss от смещения сток-исток Yds |
CBD РВ MJ FC* |
1 нФ 0,8 В 0,5 0,5 |
||
| Switching Time (Время переключения) |
|||||
| tf |
Время переключения |
RG |
5 Ом |
||
| Id |
Ток стока |
||||
| Vdd |
Постоянный потенциал истока (по умолчанию 20 В) |
||||
| Zo |
Выходное сопротивление генератора импульсного напряжения (по умолчанию 5 Ом) |
||||
| Reverse Drain Current (Ток стока в инверсном режиме) |
|||||
| Vsd, Idr |
Зависимость напряжения прямого смещения перехода исток-сток Vsd от обратного тока стока Idr |
IS N RB |
10- 15 А 1 10- 3 Ом |
||
Операционные усилители. После выбора в начальном меню программы Model Editor режима Operational Amplifier необходимо по запросам программы указать тип транзистора входного каскада и наличие внутренней/внешней коррекции:
- Technology — BJT (биполярный транзистор) или JFET (полевой транзистор);
- Input — NPN или PNP (для биполярного транзистора) и NJF или PJF (для полевого транзистора);
- Compensation — Internally (внутренняя) или Externally (внешняя коррекция).
В табл. 5.10 приведены паспортные данные ОУ, которые вводит пользователь, и список параметров его макромодели, которые рассчитываются в программе.
